第1篇:多晶硅
目前主要还是硅太阳能电池!由于多晶硅价格的猛增,国内已出现多家多晶硅生产厂家,例如:
1.江苏大全集团与世界500强企业德国德固赛公司合作日前大举切入太阳能光伏上游——多晶硅。其与重庆万州区合作,总投资5亿美元、年产6000吨太阳能级和电子级多晶硅工厂项目上月底正式开工。
2.河南省迅天宇科技有限公司,该公司建设的多晶硅一期1000吨/年4N~5N级太阳能电池等级多晶硅项目主体工程,3.辉煌硅能源(镇江)有限公司是一家新成立的外商投资企业,公司总投资约4亿美元
目前公司一期工程已在积极筹建之中,2022年年底公司将正式投产。
4.内蒙古大陆多晶硅太阳能产业基地是由南京大陆投资集团与美国PPP、SCC、西图等国际公司共同投资建设的。作为基地核心的多晶硅项目,总投资180亿元,建设规模为年产多晶硅18000吨,产值达180亿元。项目分三期建设,5年建成。
5.2022年6月,中国南玻集团与宜昌市政府在香港签订了“关于发展多晶硅及太阳能电池产业的合同书”。总投资约60亿人民币,其中:多晶硅项目投资额约30亿元,太阳能电池项目投资额约30亿元。
6.云南曲靖爱硅信3000吨多晶硅项目开工奠基,江苏阳光正投资35亿元在宁夏石嘴山投建年产4000吨多晶硅项目,峨嵋半导体材料厂也在原有200吨多晶硅产量的基础上。
7.江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是目前亚洲规模最大的太阳能多晶硅片生产企业总投资近3亿美元公司将正式启动1600兆瓦多晶硅以及15000吨硅料项目,并计划在两年内把公司打造成世界最大的太阳能多晶硅生产企业之一。
第2篇:多晶硅生产
多晶硅生产工艺
多晶硅生产工艺
1.概述
硅是地球上含量最丰富的元素之~,约占地壳质量的25.8%,仅次于氧元素,居第二位。硅在地球上不存在单质状态,基本上以氧化态存在于硅酸盐或二氧化硅中,其表现形态为各种各样的岩石,如花岗岩、石英岩等。
硅是一种半导体元素,元素符号为Si,位于元素周期表的第三周期第四主族,原子序数为14,原子量为28.0855。硅材料的原子密度为5.OOx1022/cm。,熔点为141 5℃,沸点为2355 ℃
它在常温(300K)下是具有灰色金属光泽的固体,属脆性材料。
硅材料有多种形态,按晶体结构,可分为单晶硅、多晶硅和非晶硅。
单晶硅材料,是指硅原子在三维空间有规律周期性的不问断排列,形成一个完整的晶体材料,材料性质体现各向异性,即在不同的晶体方向各种性质都存在差异。
多晶硅材料,是指由两个以上尺寸不同的单晶硅组成的硅材料,它的材料性质体现的是各向同性。
非晶硅材料,是指硅原子在短距离内有序排列、而在长距离内无序排列的硅材料,其材料的性质显示各向同性。
通常硅晶体的晶体结构是金刚石型,有9个反映对称面、6条二次旋转轴、4条三次旋转轴和3条四次旋转轴,其全部对称要素为3L44LS6L 9PC。如果加压到1.5GPa,硅晶体就会发生结构变化,由金刚石型结构转变为面心立方结构,此时的晶体常数为0.6636nm。
硅材料是应用最广泛的元素半导体材料,具有其他元素不具有的一些特性,在室温下它的禁带宽度为1.1 2eV,其本征载流子浓度为1.45x10 D/cm。硅材料具有典型的半导体电学性质。硅材料的电阻率在10 ~1010Ω·cm 间,导电能力介于导体和绝缘体之间。
特性
其导电性受杂质、光、电、磁、热、温度等环境因素的影响明显。高纯无掺杂的无缺陷的硅晶体材料,称为本征半导体,其电阻率在10 Ω·cm以上。
P-N结构性。即N型硅材料和P型硅材料结合组成PN结,具有单向导电性等性质。这是所有硅半导体器件的基本结构。
光电特性。和其他半导体材料一样,硅材料组成p—N结后,在光的作用下能产生电流,如太阳能电池。
2.高纯多晶硅
目前高纯多晶硅的大规模生产,被美国、日本和德国等少数发达国家所垄断。当前世界多晶硅的主要供应商有Hemlock W acker M EMC ASiMi Tokuyama KomatsuMitsubishi、SEH等公司。
冶金级硅是制造半导体多晶硅的原料,它由石英砂(二氧化硅)在电弧炉中用碳还原而成。尽管二氧化硅矿石在自然界中随处可见,但仅有其中的少数可以用于冶金级硅的制备。
一般说来,要求矿石中二氧化硅的含量应在97%~98%以上,并对各种杂质特别是砷、磷和硫等的含量有严格的限制。冶金硅形成过程的化学反应式为:
冶金硅主要用于钢铁工业和铝合金工业,要求纯度为98%。纯度大于99%的冶金硅,则用于制备氯硅烷。
在用于制造高纯多晶硅的冶金硅中,除了含有99% 以上的Si外,还含有铁(Fe)、铝(AI)、钙(Ca)、磷(P)、硼(B)等,它们的含量在百万分之几十个到百万分之一千个(摩尔分数)不等。
而半导体硅中的杂质含量应该降到10(摩尔分数)的水平,太阳级硅中的杂质含量应降到10~6(摩尔分数)的水平。
3.冶金硅→半导体硅或太阳级硅
要把冶金硅变成半导体硅或太阳级硅,显然不可能在保持固态的状态下提纯,而必须把冶金硅变成含硅的气体,先通过分馏与吸附等方法对气体提纯,然后再把高纯的硅源的气体通过化学气相沉积(CVD)的方法转化成为多晶硅。
生产制造高纯多晶硅的办法
主要有三大流派,即:
用SIMENS法(又称SiHCI3法)生产多晶硅棒; 用ASiMi法(又称SiH 法)生产多晶硅棒: 利用Sil硅源制造颗粒状多晶硅。
SIMENS(西门子)法
(SiHCI3法)制造多晶硅
该法于1954年推出,随即淘汰了当时使用的SiCI 锌还原法,而成为迄今一直使用的方法。它的第一步,是在250~350℃的温度下让冶金硅粉末和氯化氢在流化床上反应;
第二步,是对SiHCI3进行分馏,在这一过程中可以把具有不同沸点的氯化物分离出来;第三步,是硅的沉积。多晶硅反应炉一般均采用单端开口的钟罩形式。通常多晶硅的沉积反应要进行200~300h,使沉积在硅桥上的硅棒直径达到150-200 m m。
ASiMi法(SiH法)
ASiMi法(SiH法)制造多晶硅
20世纪60年代末期,ASiMi公司(美国先进硅材料公司简称AsiMI(阿斯米公司)公司总部位于美国蒙大拿州比优特城。生产超高纯度多晶硅和硅烷气体,是世界最大的硅烷气体生产和销售商。)提出了用SiH 作为原料生产多晶硅。
利用SiH 原料制造多晶硅棒,一般使用金属钟型罩炉。在高温时,SiH 会分解产生Si与H2。此法的总生产成本要比SiHCI3法为高。
Ethyl公司的SiH 法
颗粒状多晶硅制造技术
此法起源于Ethyl公司(美国乙基公司作为全球知名的添加剂制造商,现跻身于全球三大石油添加剂制造商之列。乙基公司采用全球领先的添加剂技术,开发生产全系列的燃料油与润滑油添加剂。)的SiH 法。
1987年商业化的粒状多晶硅开始投入生产。该技术利用流体床反应炉将SiH 分解,而分解形成的硅则沉积在一些自由流动的微细晶种颗粒上,形成粒状多晶硅。由于晶体表面积很大,使得流体床反应炉的效率高于传统的Simens炉,因而其产品的生产成本较低。
第3篇:国内多晶硅生产企业
公 司 名 称 地 区 产能 原 材 料 类 型 吨/2022
保利协鑫能源控股有限公司 江苏徐州 21000 改良西门子法 江苏顺大集团 江苏扬州3000 改良西门子法 江苏特华新材料科技有限公司 江苏盐城 500 改良西门子法 连云港中彩科技有限公司江苏连云港 300 改良西门子法 张家港市日晶科技有限公司 江苏张家港 500 改良西门子法 江西晶大半导体材料有限公司 江西南昌 100 改良西门子法 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 江西新余 6000 改良西门子法 江西通能硅材料有限公司江西樟树 300 改良西门子法 江西景德半导体新材料有限公司 江西景德镇 1500 改良西门子法 朝歌日光新能源有限公司河南鹤壁 300 改良西门子法 焦作煤业(集团)合晶科技有限责任公司 河南焦作 1800改良西门子法 林州中升半导体硅材料有限公司 河南林州 300 改良西门子法 洛阳中硅高科技有限公司河南洛阳 5000 改良西门子法 南阳迅天宇科技有限公司河南方城 300 冶金法 宁夏银星多晶硅有限责任公司 宁夏吴忠 1200 冶金法
宁夏阳光硅业有限公司 宁夏石嘴山1500 改良西门子法 陕西天宏硅材料有限公司陕西咸阳 1250 改良西门子法 峨嵋半导体材料厂/峨嵋半导体材料研究所 四川峨眉 2200改良西门子 四川瑞能硅材料有限公司四川眉山 3000 改良西门子法 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 四川乐山 3000 改良西门子法 四川新光硅业科技有限责任公司 四川乐山 1260 改良西门子法 四川永祥多晶硅有限公司四川乐山 1000 改良西门子法 天威四川硅业有限责任公司 四川成都 3000 改良西门子法 雅安永旺硅业有限公司 四川雅安800 改良西门子法 内蒙古神舟硅业有限责任公司 内蒙古呼和浩特 1500 改良西门子法 内蒙古盾安光伏科技有限公司 内蒙古巴彦淖尔 3000 改良西门子法 内蒙古鄂尔多斯多晶硅业有限公司 内蒙古鄂尔多斯 3000 改良西门子法 内蒙古锋威硅业有限责任公司 内蒙古阿拉善 1500 改良西门子法 山晟新能源有限责任公司内蒙古包头 2000 冶金法
湖北晶星科技股份有限公司 湖北省随州 1500 改良西门子法 宜昌南玻硅材料有限公司湖北省宜昌 2500 改良西门子法 武汉东立光伏电子有限公司 湖北武汉 1500 改良西门子法 亚洲硅业(青海)有限公司 青海西宁 3000改良西门子法 黄河水电新能源分公司 青海西宁 1250 改良西门子法 重庆大全新能源有限公司(重庆赛林新能源)重庆市 4300 改良西门子法 潞安高纯硅业科技发展有限公司 山西潞安 2500 改良西门子法 特变电工新疆硅业有限公司 新疆乌鲁木齐 3000 改良西门子法 济宁凯伦光伏材料有限公司 山东邹城 1000 冶金法 佳科太阳能硅(厦门)有限公司 福建厦门 1000 冶金法 桑杏硅业科技有限公司 福建龙岩500 冶金法 南安市三晶硅品精制有限公司 福建南安 3000 冶金法 锦州新世纪石英玻璃有限公司 辽宁锦州 300 冶金法 蓝天开国有限公司(香港)广东深圳 200 冶金法
浙江中宁硅业有限公司 浙江衢州 1500 硅烷法
六九硅业有限公司 河北保定 3000 硅烷法
福聚太阳能股份有限公司 台湾 5000 改良西门子法
山阳科技股份有限公司 台湾 3500 其他多晶硅生产工艺
第4篇:多晶硅行业准入条件
《多晶硅行业准入条件》发布
中华人民共和国工业和信息化部
中华人民共和国国家发展和改革委员会
中华人民共和国环境保护部
公告
工联电子[2022]137号
为深入贯彻落实科学发展观,促进多晶硅行业节能降耗、淘汰落后和结构调整,引导行业健康发展,根据国家有关法律法规和产业政策,工业和信息化部、国家发展改革委、环境保护部会同有关部门制定了《多晶硅行业准入条件》,现予以公告。
有关部门在对多晶硅建设项目核准、备案管理、土地审批、环境影响评价、信贷融资、生产许可、产品质量认证等工作中要以本准入条件为依据。
二〇一〇年十二月三十一日
附件: 多晶硅行业准入条件
附件:多晶硅行业准入条件
为深入贯彻落实科学发展观,规范和引导多晶硅行业健康发展,坚决抑制行业重复建设和产能过剩,根据国家有关法律法规和产业政策,按照优化布局、调整结构、节约能源、降低消耗、保护环境、安全生产的原则,特制订多晶硅行业准入条件。
一、项目建设条件和生产布局
(一)多晶硅项目应当符合国家产业政策、用地政策及行业发展规划,新建和改扩建项目投资中最低资本金比例不得低于30%。严格控制在能源短缺、电价较高的地区新建多晶硅项目,对缺乏综合配套、安全卫生和环保不达标的多晶硅项目不予核准或备案。
(二)在依法设立的基本农田保护区、自然保护区、风景名胜区、饮用水水源保护区,居民集中区、疗养地、食品生产地等环境条件要求高的区域周边1000米内或国家、地方规划的重点生态功能区的敏感区域内,不得新建多晶硅项目。已在上述区域内投产运营的多晶硅项目要根据该区域有关规划,依法通过搬迁、转停产等方式逐步退出。
(三)在政府投资项目核准新目录出台前,新建多晶硅项目原则上不再批准。但对加强技术创新、促进节能环保等确有必要建设的项目,报国务院投资主管部门组织论证和核准。
二、生产规模与技术设备
(一)太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年,半导体级多晶硅项目规模大于1000吨/年。
(二)多晶硅企业应积极采用符合本准入条件要求的先进工艺技术和产污强度小、节能环保的工艺设备以及安全设施,主要工段、设备参数应能实现连续流程在线检测。
三、资源回收利用及能耗
(一)新建多晶硅项目生产占地面积小于6公顷/千吨。现有多晶硅项目应当厉行节约集约用地原则。
(二)太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克,到2022年底前小于60千瓦时/千克。
(三)半导体级直拉用多晶硅还原电耗小于100千瓦时/千克,半导体级区熔用多晶硅还原电耗小于120千瓦时/千克。
(四)还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、99%。
(五)引导、支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅-电厂-化工联营,支持节能环保太阳能级多晶硅技术研发,降低成本。
(六)到2022年底前,淘汰综合电耗大于200千瓦时/千克的太阳能级多晶硅生产线。
(七)水资源实现综合回收利用,水循环利用率≥95%。
四、环境保护
(一)新建和改扩建项目应严格执行《环境影响评价法》,依法向有审批权限的环境保护行政主管部门报批环境影响评价文件。按照环境保护“三同时”的要求,建设项目配套环境保护设施并依法申请项目竣工环境保护验收,验收合格后方可投入生产运行。未通过环境评价审批的项目一律不准开工建设。现有企业应依法定期实施清洁生产审核,并通过评估验收,两次审核的时间间隔不得超过三年。
(二)废气
尾气及NOx、HF酸雾排放部位均应当配备净化装置,采用溶液吸收法或其他方法对其净化处理,废气排放达到《大气污染物综合排放标准》(GB16297)和污染物排放总量控制要求。项目所在地有地方标准和要求的,应当执行地方标准和要求。
(三)废水
按照法律、行政法规和国务院环境保护主管部门的规定设置排污口。废水排放应符合国家相应水污染物排放标准要求。凡是向已有地方排放标准的水体排放污染物的,应当执行地方标准。
(四)固体废物
一般工业固体废物的贮存应符合《一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准》(GB18599),对产生的四氯化硅等危险废物,应严格执行危险废物相关管理规定。
(五)噪声
厂界噪声符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348)。
五、产品质量
企业应有质量检验机构和专职检验人员,有健全的质量检验管理制度。半导体级多晶硅产品符合国家标准GB/T12963所规定的质量要求,太阳能级多晶硅产品符合国家标准所规定的质量要求。
六、安全、卫生和社会责任
(一)多晶硅项目应当严格遵循职业危害防护设施和安全设施“三同时”制度要求。企业应当遵守《安全生产法》、《职业病防治法》等法律法规,执行保障安全生产的国家标准或行业标准。
(二)企业应当有健全的安全生产组织管理体系,有职工安全生产培训制度和安全生产检查制度。
(三)企业应当遵守《危险化学品安全管理条例》(国务院令第344号)、《危险化学品建设项目安全许可实施办法》(国家安全生产监督管理总局令第8号)、《安全预评价导则》、《危险化学品建设项目安全评价细则(试行)》(安监总危化[2022]255号)及相关规定,依法实施危险化学品建设项目安全许可和危险化学品生产企业安全生产许可,获取《安全生产许可证》后方可投入运行。
(四)企业应当有职业危害防治措施,对重大危险源有检测、评估、监控措施和应急预案,并配备必要的器材和设备。尘毒作业场所达到国家卫生标准。
(五)企业应当遵守国家法律法规,依法参加养老、失业、医疗、工伤等保险,并为从业人员缴足相关保险费用。
七、监督与管理
(一)工业和信息化部负责多晶硅行业管理,会同国家发展改革委、环境保护部以联合公告形式发布符合准入条件的多晶硅企业名单,形成《多晶硅行业准入名单》,实行社会监督、动态管理。
(二)对现有项目:
1.企业应对照准入条件编制《多晶硅行业准入申请报告》并通过当地工业和信息化主管部门报送工业和信息化部。 2.省级工业和信息化主管部门负责受理本地区多晶硅企业的申请,按准入条件要求会同同级发展改革部门、环境保护部门对企业情况进行核实并提出初审意见,附企业申请材料报送工业和信息化部。3.工业和信息化部收到申请后,会同有关部门对企业申请材料组织审查,对符合准入条件的企业进行公示,无异议后予以公告。对不符合准入条件的企业,工业和信息化部通知省级工业和信息化主管部门责令企业整改,整改仍不达标的企业应当逐步退出多晶硅生产。
(三)对新建和改扩建项目:
1.国务院投资主管部门按照准入条件要求对新建和改扩建项目组织论证和核准。 2.企业应自投产之日起半年内申请,省级工业和信息化主管部门会同同级发展改革部门对其进行检查并提出检查意见,附企业申请材料报送工业和信息化部。工业和信息化部对企业申请材料组织审查,对符合准入条件的企业进行公示,无异议后予以公告。对不符合准入条件的企业,工业和信息化部通知省级工业和信息化主管部门责令企业整改,整改仍不达标的企业应当停止多晶硅生产。
(四)地方工业和信息化主管部门每年要会同有关部门对本地区企业生产过程中执行准入条件的情况进行监督检查,工业和信息化部组织有关部门对公告企业进行抽查。
(五)公告企业有下列情况,将撤销其公告资格: 1.填报资料有弄虚作假行为; 2.拒绝接受监督检查; 3.不能保持准入条件要求; 4.发生重大安全和污染责任事故; 5.违反法律、法规和国家产业政策规定。
(六)对不符合规划布局、生产规模、资源利用、环境保护、安全卫生等要求的多晶硅项目,投资管理部门不予核准和备案,国土资源管理、环境保护、质检、安监等部门不得办理有关手续,金融机构不得提供贷款和其它形式的授信支持。
(七)有关行业协会、产业联盟、中介机构要协助做好准入条件实施工作,组织企业加强协调和自律管理。
八、附则
(一)本准入条件适用于中华人民共和国境内(台湾、香港、澳门地区除外)所有类型的多晶硅企业和项目。
(二)本准入条件涉及的法律法规、国家标准和行业政策若进行修订,按修订后的规定执行。
(三)本准入条件自发布之日起实施,由工业和信息化部负责解释,并根据行业发展情况和宏观调控要求会同有关部门适时进行修订。
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